主页:「英爵注册」:主页，参与面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管现场讨论；直接观看点播来自Nexperia实验室视频演示
奈梅亨，2021年8月30日：基础半导体器件领域的专家Nexperia，今日宣布将于9月21日至23日举办‘Power Live’，这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功，本届为期三天的活动将扩大规模，涵盖与功率电子元件相关的众多主题，包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管。
Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览，该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性，并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。
行业领先的CCPAK封装氮化镓器件的评估板即将推出，便于使用双脉冲测试评估其特性和优势。
无论出于什么原因、什么时间需要一路500 A的MOSFET，它都需要能优化关键特性并管理涌入电流和热SOA曲线。
如何通过选择最合适的功率二极管，在LED驱动器或电磁阀驱动器等汽车应用中实现出色的效率和可靠性。
整个议程将包括现场演示，邀请工程师讨论当今使用功率器件进行设计时面临的最大挑战，同时还会展示Nexperia重要合作伙伴的案例研究和贡献。在活动期间，参会者还可以观看Nexperia资深功率专家直接从公司全球实验室为大家带来的最新技术演示。
此次‘Power Live’活动将于9月23日（星期四）结束，由Nexperia和行业专家共同参与的GaN小组讨论将是最后一场活动。这将是一场针对探讨对技术和市场想法及影响的开放式论坛，非常欢迎与会者的倾情贡献。
Nexperia全球营销主管Robby Ferdinandus针对‘Power Live’评论道：“去年我们第一次举办活动时得到了非常棒的反馈。超过700多名工程师注册参加，并且许多人表示能与现场会议中志同道合的伙伴交流，讨论常见的设计挑战，这种体验十分宝贵。”
完整的活动日程现已发布。可以使用注册页面上的表格提交咨询有关GaN小组讨论会的问题。请点击在此处免费注册。
Nexperia，作为生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFETDFN0603封装提高性能并显著减少空间需求奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括：新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着功耗的增加，散热也成为一
低工作电流和低关机电流有助于尽可能延长手机电池续航时间奈梅亨，2022年6月23日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出其电平转换器系列的新晋产品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展，先进SOC的核心电压也正逐渐下降。此发展趋势导致对电压转换器的需求日益增加，以将SOC连接到其他标准处理设备和I/O端口（如传统的Class B和Class C SIM卡）。NXT4557GU和NXT4556UP是双电源转换器，支持主机处理器侧1.08 V至1.98 V电压等级，SIM卡侧1.62 V至3.6 V电压等
推出全新电平转换器以支持传统和未来的手机SIM卡 /
基于TrEOS的保护技术可提供行业领先的插入损耗和回波损耗，有助于满足有限的系统预算要求奈梅亨，2022年6月16日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统级ESD稳健性。PES
的USB4 ESD二极管件实现了保护和性能的出色平衡 /
和KYOCERA AVX Components Salzburg 就车规氮化镓功率模块达成合作
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就车规氮化镓功率模块达成合作将成熟的GaN技术与创新型封装专业知识相结合基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与创新
和KYOCERA AVX Components Salzburg 就车规氮化镓功率模块达成合作 /
据外媒报道，半导体专家Nexperia推出用于汽车安全气囊应用的新应用特定MOSFET（ASFET）产品组合，首先发布的是采用LFPAK33封装的BUK9M20-60EL，即单N通道60 V、13 mOhm逻辑电平MOSFET。ASFET是专为在一种应用中使用而设计和优化的MOSFET。该产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电（PoE）应用提供的新ASFET成员。图片来源：NexperiaBUK9M20-60EL采用Nexperia全新的增强型安全工作区（SOA）技术。而SOA技术专为提供卓越的瞬态线性模式性能而设计，是安全气囊应用中的一项关键性能指标。与旧版DPAK封装相比，采用新LFPAK33封装的B
推出新应用特定MOSFET（ASFET）产品组合 用于汽车安全气囊 /
推出全新汽车级CFP2-HP二极管，扩展铜夹片粘合FlatPower封装二极管产品范围
Nexperia推出全新汽车级CFP2-HP二极管，进一步扩展铜夹片粘合FlatPower封装二极管产品范围通过不断投资扩大产能和产品组合，推动产品封装转型奈梅亨，2022年5月16日：基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出适用于电力应用的14款整流二极管，采用其新型CFP2-HP（铜夹片粘合FlatPower）封装。提供标准版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二极管（带1 A和2 A选项），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用，Nexperia还在产品组合中增加了200 V、1 A
推出全新汽车级CFP2-HP二极管，扩展铜夹片粘合FlatPower封装二极管产品范围 /
全新POWER MOSFET工程师设计指南
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